Infineon Technologies FP100R07N3E4BOSA1

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100A

Number of Elements

7

操作温度

-40°C~150°C

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

43

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

43

JESD-30代码

R-XUFM-X43

配置

三相逆变器

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

335W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

最大集极截止电流

1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

650V

接通时间

100 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.95V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

370 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

6.2nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准