Infineon Technologies FP50R12N2T7PBPSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

AG-ECONO2B

厂商

Infineon Technologies

Package

Tray

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

50 A

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Pd - Power Dissipation

-

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Continuous Collector Current at 25 C

50 A

Mounting Styles

PCB 安装

Part # Aliases

FP50R12N2T7P SP005407056

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1200 V

操作温度

-40°C ~ 175°C (TJ)

子类别

IGBTs

配置

三相逆变器

功率耗散

-

功率 - 最大

20 mW

输入

三相桥式整流器

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

4 μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 25A

连续集电极电流

50A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

11.1 nF @ 25 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块