Infineon Technologies FS650R08A4P2BPSA1

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

供应商器件包装

AG-HYBDC6I-1

厂商

Infineon Technologies

Package

Tray

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

375 A

Base Product Number

FS650R08

Pd - Power Dissipation

488 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1 V

Minimum Operating Temperature

- 40 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

16

Continuous Collector Current at 25 C

375 A

Part # Aliases

FS650R08A4P2 SP001714512

Manufacturer

Infineon

Brand

Infineon Technologies

Tradename

HybridPACK PressFIT

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

750 V

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tray

子类别

IGBTs

配置

三相逆变器

功率 - 最大

20 mW

输入

Standard

产品类别

IGBT模块

最大集极截止电流

1 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

750 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.35V @ 15V, 375A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

65 nF @ 50 V

产品

IGBT硅模块

产品类别

IGBT模块