Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1
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FT150R12KE3B5BOSA1
1211-FT150R12KE3B5BOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
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IGBT MODULE POWER
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FT150R12KE3B5BOSA1详情
Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
18
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
JESD-30代码
R-XUFM-X18
配置
COMMON EMITTER, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
接通时间
350 ns
集电极电流-最大值(IC)
200A
关断时间-标准值(toff)
850 ns
集电极-发射器电压-最大值
1200V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FT150R12KE3B5BOSA1拓展信息
Infineon Technologies
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