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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 FT150R12KE3B5BOSA1
FT150R12KE3B5BOSA1
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Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1

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型号

FT150R12KE3B5BOSA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-FT150R12KE3B5BOSA1

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MODULE POWER

起订量

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FT150R12KE3B5BOSA1
FT150R12KE3B5BOSA1 Infineon Technologies IGBT MODULE POWER

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FT150R12KE3B5BOSA1详情

技术参数

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Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 表面安装

    NO

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    18

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X18

  • 配置

    COMMON EMITTER, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 接通时间

    350 ns

  • 集电极电流-最大值(IC)

    200A

  • 关断时间-标准值（toff)

    850 ns

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Infineon Technologies FT150R12KE3B5BOSA1.

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