Infineon Technologies IPB160N04S402DXTMA1
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IPB160N04S402DXTMA1
1211-IPB160N04S402DXTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6
1最小包装量--
IPB160N04S402DXTMA1详情
Infineon Technologies IPB160N04S402DXTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IPB160N04S402DXTMA1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Risk Rank
5.65
Drain Current-Max (ID)
160 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超低电阻
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263
漏极-源极导通最大电阻
0.0019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
640 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
220 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IPB160N04S402DXTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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