Infineon Technologies IPD65R225C7ATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

48 ns

Power Dissipation (Max)

63W Tc

Number of Elements

1

已出版

2013

系列

CoolMOS™ C7

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

63W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

225m Ω @ 4.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 240μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

996pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

6ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.225Ohm

雪崩能量等级（Eas）

48 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅