Infineon Technologies IPD70R600P7S

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IPD70R600P7S

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.68

Drain Current-Max (ID)

8.5 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.5 A

漏极-源极导通最大电阻

0.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

5 A

DS 击穿电压-最小值

700 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

43.1 W