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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.353439
10
¥11.654184
100
¥10.994514
500
¥10.372186
1000
¥9.78508
Infineon Technologies IPG20N06S2L50AATMA1
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- 对比
IPG20N06S2L50AATMA1
1211-IPG20N06S2L50AATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPG20N06S2L50AATMA1详情
Infineon Technologies IPG20N06S2L50AATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A
Turn Off Delay Time
15 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
1997
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
51W
元素配置
Dual
功率 - 最大
51W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
50mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 19μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
560pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
55V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
55V
漏源击穿电压
55V
输入电容
560pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
50mOhm
最大rds
50 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPG20N06S2L50AATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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