Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2003

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

51W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

*PG20N06

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PDSO-F

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

2 ns

功率 - 最大

51W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 19μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 10V

上升时间

3ns

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

55V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

雪崩能量等级（Eas）

60 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅