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价格梯度

内地含税价

1

￥54.561636
10

￥51.473242
100

￥48.559662
500

￥45.811002
1000

￥43.217926

Infineon Technologies IPL60R065C7AUMA1

Name: IPL60R065C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPL60R065C7AUMA1
Price: 54.56 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPL60R065C7AUMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPL60R065C7AUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPL60R065C7AUMA1 Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW

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IPL60R065C7AUMA1详情

技术参数

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型号对比

Infineon Technologies IPL60R065C7AUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

表面贴装
Number of Elements

1
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2008
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

2A (4 Weeks)
终止次数

4
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-40°C
端子位置

SINGLE
终端形式

无铅
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
JESD-30代码

S-PSSO-N4
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
无卤素

无卤素
漏源电压 (Vdss)

600V
极性/通道类型

N-CHANNEL
最大双电源电压

600V
最大漏极电流 (Abs) (ID)

29A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

135A
雪崩能量等级（Eas）

159 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻

56mOhm
达到SVHC

not_compliant
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

含铅

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IPL60R065C7AUMA1拓展信息

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