Infineon Technologies IPL60R650P6SATMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

质量

75.891673mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

56.8W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 200μA

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

CoolMOS™ P6

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N5

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 2.4A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

557pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

14 ns

连续放电电流(ID)

6.7A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大双电源电压

600V

漏极-源极导通最大电阻

0.65Ohm

漏源击穿电压

600V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅