Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1
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IPN50R650CEATMA1
1211-IPN50R650CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-223-3
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INFINEON IPN50R650CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 9 A, 500 V, 0.59 ohm, 13 V, 3 VNew
--最小包装量--
IPN50R650CEATMA1详情
Infineon Technologies IPN50R650CEATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-223-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
9A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Power Dissipation (Max)
5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 150μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ CE
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
650m Ω @ 1.8A, 13V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
342pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
9A
阈值电压
3V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPN50R650CEATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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