Infineon Technologies IPP100N06S205AKSA1

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Number of Elements

1

已出版

2006

系列

OptiMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

5m Ω @ 80A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5110pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

上升时间

31ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.005Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

DS 击穿电压-最小值

55V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无