Infineon Technologies IPP50R199CPXKSA1

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

139W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

139W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

199m Ω @ 9.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 660μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1800pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

550V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

17A

阈值电压

3V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.199Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant