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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥46.179216
10
¥43.565295
100
¥41.099335
500
¥38.772959
1000
¥36.578267
Infineon Technologies IPS70R360P7S
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- 对比
IPS70R360P7S
1211-IPS70R360P7S
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
--
大陆
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PG-TO251-3 MOSFETs ROHS
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPS70R360P7S详情
Infineon Technologies IPS70R360P7S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IPS70R360P7S
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Risk Rank
5.74
Drain Current-Max (ID)
12.5 A
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12.5 A
漏极-源极导通最大电阻
0.36 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
34 A
DS 击穿电压-最小值
700 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
59.5 W
IPS70R360P7S拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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