IPS70R360P7S
IPS70R360P7S

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Infineon Technologies IPS70R360P7S

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型号

IPS70R360P7S

utmel 编号

1211-IPS70R360P7S

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PG-TO251-3 MOSFETs ROHS

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IPS70R360P7S
IPS70R360P7S Infineon Technologies PG-TO251-3 MOSFETs ROHS

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IPS70R360P7S详情

Infineon Technologies IPS70R360P7S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    IN-LINE, R-PSIP-T3

  • Package Style

    IN-LINE

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IPS70R360P7S

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    5.74

  • Drain Current-Max (ID)

    12.5 A

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-251

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    12.5 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.36 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    34 A

  • DS 击穿电压-最小值

    700 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    59.5 W

0个相似型号

IPS70R360P7S拓展信息

IRF7306TRPBF
IRF7306TRPBF

Infineon Technologies

BSD235CH6327XTSA1
BSD235CH6327XTSA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1
IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

IRF7324TRPBF
IRF7324TRPBF

Infineon Technologies

IRF7380TRPBF
IRF7380TRPBF

Infineon Technologies

IRF9952TRPBF
IRF9952TRPBF

Infineon Technologies

IRF7101TRPBF
IRF7101TRPBF

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF
IRF7907TRPBF

Infineon Technologies

IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF

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IRF7351TRPBF
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Infineon Technologies

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