Infineon Technologies IPU50R3K0CEBKMA1

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

13V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

18W Tc

Turn Off Delay Time

23 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ CE

已出版

2013

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

7.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 400mA, 13V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 30μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

84pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.3nC @ 10V

上升时间

5.8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

49 ns

连续放电电流(ID)

1.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

500V

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

漏源击穿电压

550V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4.1A

雪崩能量等级（Eas）

18 mJ

高度

6.22mm

长度

6.73mm

宽度

2.41mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅