Infineon Technologies IR2011SPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

540.001716mg

Driver Configuration

High-Side or Low-Side

Logic voltage-VIL, VIH

0.7V 2.2V

Current - Supply (Nom)

230μA

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1996

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

625mW

电压 - 供电

10V~20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

15V

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

IR2011SPBF

最大电流源

230μA

输出的数量

2

输出电压

10V

最大输出电流

1A

电源

15V

工作电源电流

230μA

功率耗散

625mW

输出电流

1A

传播延迟

80 ns

输入类型

Inverting

接通延迟时间

20 ns

上升时间

50ns

下降时间（典型值）

35 ns

发布时间

60 ns

上升/下降时间(Typ)

35ns 20ns

接口IC类型

基于半桥的mosfet驱动器

信道型

Independent

输出峰值电流限制-名

1A

闸门类型

N-Channel MOSFET

峰值输出电流（源极，漏极）

1A 1A

高边驱动器

YES

高压侧电压-最大值(自举)

200V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅