Infineon Technologies IR2106SPBF
- 收藏
- 对比
IR2106SPBF
1211-IR2106SPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
大陆
立即发货

Driver 600V 0.35A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
--最小包装量--
IR2106SPBF详情
Infineon Technologies IR2106SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
540.001716mg
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.9V
Turn Off Delay Time
280 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Integrated Circuit (IC)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT
最大功率耗散
625mW
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
IR2106SPBF
输出的数量
2
输出电压
620V
最大输出电流
350mA
工作电源电压
15V
功率耗散
625mW
输出电流
200mA
传播延迟
300 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
300 ns
最大输出电压
20V
上升时间
220ns
下降时间(典型值)
80 ns
最小输出电压
10V
上升/下降时间(Typ)
150ns 50ns
信道型
Independent
接通时间
0.3 μs
输出峰值电流限制-名
0.35A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
200mA 350mA
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IR2106SPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。