Infineon Technologies IR2108SPBF
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IR2108SPBF
1211-IR2108SPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
--最小包装量--
IR2108SPBF详情
Infineon Technologies IR2108SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.9V
Turn Off Delay Time
200 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
类型
Integrated Circuit (IC)
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT
最大功率耗散
625mW
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
IR2108SPBF
输出的数量
2
输出电压
20V
最大输出电流
350mA
电源
15V
电源电流
1.6mA
功率耗散
625mW
输出电流
200mA
最大电源电流
1.6mA
传播延迟
300 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
30 ns
上升时间
220ns
下降时间(典型值)
80 ns
上升/下降时间(Typ)
150ns 50ns
信道型
Independent
接通时间
0.3 μs
输出峰值电流限制-名
0.35A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
200mA 350mA
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IR2108SPBF拓展信息
Infineon Technologies
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