Infineon Technologies IRF5810

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.9A

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

960mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 2.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

650pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.6nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

JEDEC-95代码

MO-193AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.9A

漏极-源极导通最大电阻

0.09Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.96W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant