Infineon Technologies IRF6723M2DTR1P

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MA

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

Reach合规守则

compliant

基本部件号

IRF6723M2DPBF

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.7W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.6m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1380pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

47A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

25W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准