Infineon Technologies IRF7220GTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

2.5W

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12mOhm @ 11A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

600mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8075pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

125nC @ 5V

上升时间

420ns

漏源电压 (Vdss)

14V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

1.04 μs

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-14V

输入电容

8.075nF

漏源电阻

12mOhm

最大rds

12 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准