Infineon Technologies IRF7307QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.2A 4.3A

Number of Elements

2

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

基本部件号

IRF7307QPBF

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 2.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

5.2A

JEDEC-95代码

MS-012AA

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

21A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准