Infineon Technologies IRF7314QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.2A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

41 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.4W

基本部件号

IRF7314QPBF

功率耗散

2.4W

接通延迟时间

18 ns

功率 - 最大

2.4W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

58mOhm @ 5.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

913pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

29nC @ 4.5V

上升时间

26ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

-5.2A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

输入电容

913pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

98mOhm

最大rds

58 mΩ

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准