Infineon Technologies IRF7341GTRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

超低电阻

最大功率耗散

2.4W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 5.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

780pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

连续放电电流(ID)

5.1A

JEDEC-95代码

MS-012AA

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

42A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

ROHS3 Compliant