Infineon Technologies IRF7350PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.1A 1.5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

210mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

额定电流

2.1A

基本部件号

IRF7350PBF

功率耗散

2W

功率 - 最大

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

210mOhm @ 2.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28nC @ 10V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

100V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

2.1A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

输入电容

380pF

场效应管特性

Standard

漏源电阻

480mOhm

最大rds

210 mΩ

栅源电压

4 V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅