Infineon Technologies IRF7351PBF

工厂交货时间

15 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF7351PBF

元素配置

Dual

功率耗散

2W

接通延迟时间

5.1 ns

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

17.8mOhm @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1330pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

5.9ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

6.7 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

输入电容

1.33nF

恢复时间

30 ns

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

17.8mOhm

最大rds

17.8 mΩ

栅源电压

4 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅