Infineon Technologies IRF7751TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-TSSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.5A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

155 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

IRF7751PBF

元素配置

Dual

功率耗散

1W

接通延迟时间

13 ns

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

35mOhm @ 4.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1464pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

-4.5A

阈值电压

-2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

输入电容

1.464nF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

35MOhm

最大rds

35 mΩ

栅源电压

-2.5 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅