Infineon Technologies IRF7756

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-12V

最大功率耗散

1W

额定电流

-4.3A

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

连续放电电流(ID)

4.3A

漏源击穿电压

-12V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅