Infineon Technologies IRF7756TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-TSSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

IRF7756PBF

元素配置

Dual

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1400pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

12V

连续放电电流(ID)

-4.3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

-12V

双电源电压

-12V

输入电容

1.4nF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

40mOhm

最大rds

40 mΩ

栅源电压

-900 mV

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅