Infineon Technologies IRF7822TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta

Turn Off Delay Time

22 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

6.5MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

18A

功率耗散

3.1W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5mOhm @ 15A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5500pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 5V

上升时间

5.5ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

输入电容

5.5nF

漏源电阻

6.5mOhm

最大rds

6.5 mΩ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅