Infineon Technologies IRF9389PBF

工厂交货时间

11 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.8A 4.6A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IRF9389

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 6.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.3V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

398pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.6A

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.8A

漏极-源极导通最大电阻

0.027Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34A

DS 击穿电压-最小值

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

ROHS3 Compliant