Infineon Technologies IRF9530NPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

79W Tc

Turn Off Delay Time

45 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

200mOhm

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-100V

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

额定电流

-14A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

螺纹距离

2.54mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

79W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 8.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

58ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

-14A

阈值电压

-4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

56A

双电源电压

-100V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

恢复时间

190 ns

栅源电压

-4 V

高度

15.24mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅