Infineon Technologies IRF9952QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A 2.3A

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF9952QPBF

功率耗散

2W

功率 - 最大

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

输入电容

190pF

场效应管特性

逻辑电平门

最大rds

100 mΩ

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准