Infineon Technologies IRF9953TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电阻

250mOhm

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

额定电流

-2.3A

基本部件号

IRF9953PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

9.7 ns

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

250m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

190pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 10V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

6.9 ns

连续放电电流(ID)

2.3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10A

雪崩能量等级（Eas）

57 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free