Infineon Technologies IRFB4127PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

76A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

56 ns

Power Dissipation (Max)

375W Tc

Number of Elements

1

已出版

2008

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

20MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

375W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

17 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5380pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

76A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

250 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

5 V

高度

19.8mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅