Infineon Technologies IRFH7446TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-TQFN Exposed Pad

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

78W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

85A Tc

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2008

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.3MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

78W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3174pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

98nC @ 10V

上升时间

37ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

85A

阈值电压

2.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

468A

宽度

5mm

长度

5.85mm

高度

1.17mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅