Infineon Technologies IRFH8318TR2PBF

包装/外壳

8-PowerTDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

供应商器件包装

PQFN (5x6)

Turn Off Delay Time

18 ns

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Ta 120A Tc

已出版

2008

系列

HEXFET®

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

3.1MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

元素配置

Single

功率耗散

3.6W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3180pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

41nC @ 10V

上升时间

33ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

27A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

3.18nF

恢复时间

24 ns

漏源电阻

3.1mOhm

最大rds

3.1 mΩ

栅源电压

1.8 V

宽度

5mm

长度

5.85mm

高度

1.17mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅