Infineon Technologies IRFHM4226TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TQFN Exposed Pad

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.7W Ta 39W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.2MOhm

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.7W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2m Ω @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2000pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.1 ns

连续放电电流(ID)

28A

阈值电压

1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

40A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

420A

高度

900μm

长度

3.3mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅