Infineon Technologies IRFHM8363TR2PBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

基本部件号

IRFHM8363PBF

功率 - 最大

2.7W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.9m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1165pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

场效应管特性

逻辑电平门