Infineon Technologies IRFI4019HG-117P

包装/外壳

TO-220-5 Full Pack (Formed Leads)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

13 ns

Number of Elements

2

已出版

2009

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

18W

端子位置

SINGLE

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

18W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 5.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.9V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

6.6ns

漏源电压 (Vdss)

150V

下降时间（典型值）

3.1 ns

连续放电电流(ID)

8.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34A

雪崩能量等级（Eas）

77 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无