Infineon Technologies IRFS4321-7PPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

86A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.7m Ω @ 34A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4460pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

86A

漏极-源极导通最大电阻

0.0147Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

343A

DS 击穿电压-最小值

150V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅