Infineon Technologies IRFS7537TRLPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

3.949996g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

173A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

230W Tc

Turn Off Delay Time

82 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.3m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.7V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7020pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

210nC @ 10V

上升时间

105ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

84 ns

连续放电电流(ID)

173A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

700A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

554 mJ

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅