IRFSL4620PBF
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Infineon Technologies IRFSL4620PBF

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型号

IRFSL4620PBF

utmel 编号

1211-IRFSL4620PBF

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 24A TO262

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IRFSL4620PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 24A TO262

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IRFSL4620PBF详情

Infineon Technologies IRFSL4620PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    TO-262

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    24A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    144W Tc

  • Turn Off Delay Time

    25.4 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HEXFET®

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    通孔

  • 电阻

    63.7MOhm

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    144W

  • 接通延迟时间

    13.4 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    77.5mOhm @ 15A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 100μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1710pF @ 50V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    38nC @ 10V

  • 上升时间

    22.4ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    14.8 ns

  • 连续放电电流(ID)

    24A

  • 阈值电压

    5V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    200V

  • 双电源电压

    200V

  • 输入电容

    1.71nF

  • 漏源电阻

    77.5mOhm

  • 最大rds

    77.5 mΩ

  • 栅源电压

    5 V

  • 高度

    9.65mm

  • 长度

    10.668mm

  • 宽度

    4.826mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IRFSL4620PBF相似的参数规格。

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