Infineon Technologies IRFU6215PBF

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

53 ns

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

已出版

2004

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

580MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

-150V

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-13A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

295m Ω @ 6.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

860pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66nC @ 10V

上升时间

36ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

-13A

阈值电压

-4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

44A

双电源电压

-150V

栅源电压

-4 V

宽度

2.3876mm

长度

6.7056mm

高度

6.22mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

Contains Lead, Lead Free