Infineon Technologies IRL3202PBF
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IRL3202PBF
1211-IRL3202PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB
1最小包装量--
IRL3202PBF详情
Infineon Technologies IRL3202PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
48A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 7V
Power Dissipation (Max)
69W Tc
Turn Off Delay Time
12 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
48A
元素配置
Single
功率耗散
69W
接通延迟时间
8.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16mOhm @ 29A, 7V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
43nC @ 4.5V
上升时间
100ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
82 ns
连续放电电流(ID)
48A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
20V
输入电容
2nF
恢复时间
100 ns
漏源电阻
19mOhm
最大rds
16 mΩ
栅源电压
700 mV
高度
15.24mm
长度
10.5156mm
宽度
4.69mm
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3202PBF拓展信息
Infineon Technologies
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