Infineon Technologies IRLH5034TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

29A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 156W Tc

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.2MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

21 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.4m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

82nC @ 10V

上升时间

54ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

29A

漏源击穿电压

40V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

360 mJ

高度

990.6μm

长度

6.1468mm

宽度

5.15mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅