Infineon Technologies IRLH5036TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

8-PQFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Ta 100A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

28 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

功率耗散

160W

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5360pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

90nC @ 10V

上升时间

48ns

漏源电压 (Vdss)

60V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

60V

输入电容

5.36nF

恢复时间

42 ns

漏源电阻

4.4mOhm

最大rds

4.4 mΩ

栅源电压

1 V

高度

810μm

长度

5mm

宽度

5.0038mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准